IGBT管的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離由于此氧化膜很薄，IGBT管的UGE 的耐壓值為 20V,在IGBT管加超出耐壓值的電壓時(shí)，會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的危險(xiǎn).此外，在柵極發(fā)射極間開(kāi)路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過(guò)，柵極電位升高，集電極則有電流流過(guò) 這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT管發(fā)熱乃至損壞在應(yīng)用中，有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓為此，通常采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感 在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓，如果柵極回路不合適或者柵極回路完全不能工作時(shí)(柵極處于開(kāi)路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT管就會(huì)損壞 為防止這類損壞情況發(fā)生，應(yīng)在柵極一發(fā)射極之間接一只10千歐左右的電阻。此外，由于IGBT管為MOS結(jié)構(gòu)，對(duì)于靜電就要十分注意 因此，請(qǐng)注意下面幾點(diǎn)：

　　(1)在使用模塊時(shí)，手持分裝件時(shí)，請(qǐng)勿觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電放電后，再觸摸;

　　(2)在用導(dǎo)電材料連接IGBT管的驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;

　　(3)盡量在底板良好接地的情況下操作 如焊接時(shí)，電烙鐵要可靠接地在安裝或更換IGBT管時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT管與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度，為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT 管間涂抹導(dǎo)熱硅脂，一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT管發(fā)熱，從而發(fā)生故障，因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT管的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT管工作。

　　IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

　　可測(cè)試IGBT參數(shù)包括ICES、BVCES、IGESF、VGETH、VGEON、VCESAT、ICON、VF、

　　GFS、rCE等全直流參數(shù)，所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測(cè)試精度，大電流指標(biāo)保證2%以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度。

　　主極電流可提供400A 500A 800A 1250A大電流測(cè)試選項(xiàng)

　　BR3500測(cè)試系統(tǒng)是一項(xiàng)高速多用途半導(dǎo)體分立器件智能測(cè)試系統(tǒng)。它具有十分豐富的編程軟件和強(qiáng)大的測(cè)試能力?？烧鎸?shí)準(zhǔn)確測(cè)試達(dá)十九大類二十七分類大、中、小功率的半導(dǎo)體分立器件。

　　一、可測(cè)試種類

　　1.二極管 Diode

　　2.穩(wěn)壓(齊納)二極管 Zener

　　3.晶體管 Transistor(NPN型/PNP型)

　　4.可控硅整流器(普通晶閘管) SCR

　　5.雙向可控硅(雙向晶閘管) TRIAC

　　6.MOS場(chǎng)效應(yīng)管 Power MOSFET(N-溝/P-溝)

　　7.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 J-FET (N-溝/P-溝，耗盡型/增強(qiáng)型)

　　8. 三端穩(wěn)壓器 REGULATOR(正電壓/負(fù)電壓，固定/可變)

　　9.絕緣柵雙極大功率晶體管 IGBT(NPN型/PNP型)

　　10.光電耦合器 OPTO-COUPLER(NPN型/PNP型)

　　11.光電邏輯器件 OPTO-LOGIC

　　12.光電開(kāi)關(guān)管 OPTO-SWITCH

　　13.達(dá)林頓陣列

　　14.固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器 SSOVP

　　15.硅觸發(fā)開(kāi)關(guān) STS

　　16.繼電器 RELAY(A、B、C型)

　　17.金屬氧化物壓變電阻 MOV

　　18.壓變電阻 VARISTO

　　19.雙向觸發(fā)二極管 DIAC

　　二、技術(shù)參數(shù)及可實(shí)現(xiàn)目標(biāo)

　　主極電壓：1000V 通過(guò)內(nèi)部設(shè)置可擴(kuò)展到：2000V

　　主極電流：50A 加選件可擴(kuò)展到：400A/500A/1000A/1250A

　　控制極電壓：20V 加大電流臺(tái)選件可擴(kuò)展到：80V

　　控制極電流：10A 加大電流臺(tái)選件可擴(kuò)展到：40A

　　電壓分辨率：1mV

　　電流分辨率：100pA 加小電流臺(tái)選件可擴(kuò)展到：1pA(文章來(lái)源：北京德?tīng)栁髀黰.dloungerestaurant.com)